در این مقاله روشهای نوین کاهش اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای اثر میدان مورد آنالیز و تجزیه و تحلیل قرار می گیرند. هم چنین برای اولین بار یک ساختار جدید با نام ترانزیستور "چند گیتی با کانال محافظ" معرفی و طراحی شده است. نتایج شبیه سازیهای دو بعدی نشان می دهند که این ساختار به خوبی می تواند اثر میدان الکتریکی ناشی از ولتاژ درین را کاهش دهد. هم چنین تغییرات سد پتانسیل تا ولتاژ 5/1 ولت، تقریبا صفر است. ضمنا این ترانزیستور مشکلاتی از قبیل سخت بودن پروسه ساخت و نیاز به منبع تغذیه اضافی را که در ساختارهای مشابه با آن وجود دارند را ندارد.
