|
|
پژوهشکده الکترونیک- اخبار
|
سمینار علمی با عنوان: طراحی و ساخت ترانزیستور GaN HEMT با استفاده از دستگاه MBE
|
|
بازیابی تصاویر و رنگها | تاریخ ارسال: 1402/9/23 | |
سمینار علمی با عنوان : طراحی و ساخت ترانزیستور GaN HEMT با استفاده از دستگاه MBE
📣 سخنران: دکتر جواد یاوندحسنی
📆 تاریخ برگزاری: شنبه ۲ دی ۱۴۰۲
📆 ساعت برگزاری: ساعت ۱۰:۰۰ الی ۱۲:۰۰
🏫 برگزار کننده: پژوهشکده الکترونیک
📍محل برگزاری: سالن جلسات پژوهشکده الکترونیک
⏳ هماهنگ کننده: مهندس فرهاد یوسفی
⏳ لینک ثبت نام: http://ers.iust.ac.ir/gan-hemt
ویژه متخصصین حوزه افزارههای نیمههادی، متخصصین حوزه طراحی مدارهای فرکانس بالا، متخصصین حوزه فیزیک حالت جامد
|
|
|
نشانی مطلب در وبگاه پژوهشکده الکترونیک:
http://idea.iust.ac.ir/find-45.2956.76566.fa.html
برگشت به اصل مطلب
|
| |