برای رسیدن به پلاریزاسیون دایروی در آنتن های میکرواستریپی رویکردهای مختلفی مانند ایجاد اختلال در شکل پچ و یا استفاده از دو یا چند خط تغذیه در ساختار آنتن وجود دارد. اما یک رویکرد راحتتر برای رسیدن به پلاریزاسیون دایروی استفاده از فریت به عنوان زیرلایه در آنتن های میکرواستریپی است. در این پایان نامه نشان داده می شود که با استفاده از آنتن با زیر لایه فریت بدون ایجاد اختلال در پچ و یا استفاده از دو خط تغذیه، می توان به پلاریزاسیون دایروی در یک محدوده وسیع فرکانسی و در یک پهنای بیم زاویه ای وسیع دست یافت. اما عیب اصلی آنتن های میکرواستریپی با زیرلایه فریت، پهنای باند امپدانسی کم آنها به دلیل بالا بودن ضریب گذردهی نسبی فریت است. در این پایان نامه روش های افزایش پهنای باند امپدانسی آنتن های میکرواستریپی فریتی بررسی شده و تکنیک های مختلفی بدین منظور ارائه گردیده است. یکی از روش های موثر برای افزایش پهنای باند امپدانسی، استفاده از یک زیرلایه دی الکتریک با ضریب گذردهی پایین در کنار فریت است، که در این پایان نامه به تحلیل و بررسی آن پرداخته شده است و یک مدل تحلیلی برای آن ارائه گردیده است. بعد از تحلیل کامل آنتن دولایه دی الکتریک فریت، ساختارهای آرایه ای این آنتن ها تحلیل و بررسی شده است. بدین منظور در ابتدا به بحث تزویج متقابل بین دو آنتن پرداخته می شود و یک مدل تحلیلی برای محاسبه تزویج متقابل بین آنتن ها ارائه می گردد. سپس به بررسی و تحلیل اثر تزویج متقابل بر روی مشخصات تشعشعی آنتن ها آرایه ای می پردازیم و نشان می دهیم که تزویج متقابل می تواند باعث تغییر سطح گلبرگ های کناری، محل صفرهای پترن تشعشعی و سمتگرایی آنتن شود.