پژوهشکده الکترونیک- اخبار
سمینار علمی با عنوان: طراحی و ساخت ترانزیستور GaN HEMT‌ با استفاده از دستگاه MBE

حذف تصاویر و رنگ‌ها  | تاریخ ارسال: 1402/9/23 | 

سمینار علمی با عنوان : طراحی و ساخت ترانزیستور GaN HEMT‌ با استفاده از دستگاه MBE
📣 سخنران: دکتر جواد یاوندحسنی

📆 تاریخ برگزاری: شنبه ۲ دی ۱۴۰۲
📆 ساعت برگزاری:  ساعت ۱۰:۰۰ الی ۱۲:۰۰
🏫 برگزار کننده: پژوهشکده الکترونیک

📍محل برگزاری:  سالن جلسات پژوهشکده الکترونیک
هماهنگ کننده:   مهندس فرهاد یوسفی
لینک ثبت نام: http://ers.iust.ac.ir/gan-hemt

ویژه متخصصین حوزه افزاره‌های نیمه‌هادی، متخصصین حوزه طراحی مدارهای فرکانس بالا، متخصصین حوزه فیزیک حالت جامد

 
 
نشانی مطلب در وبگاه پژوهشکده الکترونیک:
http://idea.iust.ac.ir/find-45.2956.76566.fa.html
برگشت به اصل مطلب